Полупроводниковые приборы

Классификация полупроводниковых приборов

Полупроводниковые приборы - электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. В электронике полупроводниковые приборы служат для преобразования различных сигналов, в энергетике - для непосредственного преобразования одних видов энергии в другие.
К основным классам полупроводниковых приборов относят следующие:

  • электропреобразовательные приборы, преобразующие одни электрические величины в др. электрические величины (полупроводниковый диод, транзистор, тиристор);
  • оптоэлектронные приборы, преобразующие световые сигналы в электрические и наоборот (оптрон, фоторезистор, фотодиод, фототранзистор, фототиристор, полупроводниковый лазер, светоизлучающий диод, твердотельный преобразователь изображения - аналог видикона и т.п.);
  • термоэлектрические приборы, преобразующие тепловую энергию в электрическую и наоборот (термоэлемент, термоэлектрический генератор, солнечная батарея, термистор и т.п.);
  • магнитоэлектрические приборы (датчик, использующий эффект Холла и т.п.);
  • пьезоэлектрический и тензометрический приборы, которые реагируют на давление или механическое смещение.

К отдельному классу полупроводниковых приборов следует отнести интегральные схемы, которые могут быть электропреобразующими, оптоэлектронными и т.д. либо смешанными, сочетающими самые различные эффекты в одном приборе.

Основные характеристики полупроводниковых приборов

ООО "Элмиком-ТВС" предлагает полупроводниковые приборы импортного и отечественного производства. На сайте представлена подробная техническая информация по фотодиодам, фототранзисторам, оптопарам, фотоприемным устройствам и микросхемам (раздел МИКРОСХЕМЫ) от производителей России и СНГ.

Тип прибора Характеристика основная Габаритные размеры, мм Документ на поставку
СВЧ полупроводниковые диоды и транзисторы
Диоды СВЧ генераторные на эффекте Ганна Диапазон частот: 4 - 30 ГГц.
Мощность: менее 100 мВт.		    
Диоды СВЧ генераторные на эффекте Ганна Диапазон частот: 4 - 30 ГГц.
Мощность: более 100 мВт.		    
Диоды СВЧ генераторные на эффекте Ганна Диапазон частот: 30 - 150 ГГц.
Мощность: менее 100 мВт.		    
Диоды СВЧ генераторные на эффекте Ганна Диапазон частот: 30 - 150 ГГц.
Мощность: более 100 мВт.		    
Диоды СВЧ генераторные на эффекте Ганна Импульсные диоды.
Импульсная мощность: до 30 Вт.
Импульсный рабочий ток: до 25 А.		    
Диоды СВЧ импульсные Допустимый импульсный прямой ток: до 50 мА.
Допустимое импульсное обратное напряжение: до 30 В.		    
Диоды СВЧ импульсные лавинные Допустимый импульсный ток в открытом состоянии: до 50 А.    
Диоды СВЧ настроечные Общая емкость диода до 4,7 пФ    
Диоды СВЧ смесительные и детекторные с барьером Шоттки Максимальная рабочая частота 178,8 ГГц    
Диоды СВЧ умножительные Предельная частота при напряжении смещения -6В: до 500ГГц    
Варикапы и варикапные матрицы Общая емкость варикапа: от 2,3 пФ до 620 пФ    
Транзисторы СВЧ полевые с барьером Шоттки Коэффициент усиления на частоте 2 ГГц: 13 - 17    
Оптоэлектронные полупроводниковые приборы
Диоды излучающие ИК-диапазона Мощность излучения: 0,9...610 мВт    
Индикаторы знакосинтезирующие единичные Сила света: 0,4...16 мкд    
Инфракрасные излучающие диоды АЛ147А, АЛ147А1 Мощность излучения 15 мВт 5,3 х 5,5 аАО.336.856 ТУ
Диодные оптопары АОД158, АОД158А1 Коэфф. передачи по току
1%
3% 		7,9 x 7 x 5
9 x 10 x 5,5 		 
Оптопары АОР113А, АОРС113А Позиционная чувствительность 2 мкА / мкм 11,65x9,45x2,7 аАО.336.339 ТУ
Транзисторная оптопара АОТ159 Время нарастания выходного сигнала 80 мкс 7 x 5,6 x 5  
Фотоприемник герметизированный многоспектральный ФМ-611 Максимум спектральной чувствительности 2-4 мкм Рабочее напряжение В, 15±1 ОЖО.468.266 ТУ
Фотоприемное устройство ФУО-614-5 Размер фоточувствительной площадки 1 х 1 мм2 Ø45 х 46 ОЖО.468.234 ТУ
Фотоприемное устройство УФУР01 (ФУЛ113) Размеры фоточувствительных площадок: 0,58 мм2 и 17,74 мм2 ØO25 х 17,1  
Фоточувствительные приборы
Кремниевые фотодиоды КДФ101А Рабочее напряжение (10+0,1)В 5x2,5x5,5 аАО.336.857 .ТУ
Кремниевый фотодиод ФД-23КSI = 7 x 10-3 мкА/ЛкØ5,5 x 9,5
Кремниевый фотодиод ФД-24КSI = 6 x 10-3 А/ЛмØ19,6 x 6,5
Кремниевый фотодиод ФД-265SI = 7 x 10-3 мкА/ЛкØ4 x 8
Кремниевый фотодиод ФД-265-02SI = 4 x 10-2 мкА/ЛкØ4,05 x 7
Кремниевый фотодиод ФД-320SI = 0,12 мкА/Лк11 x 11 x 9,5
Кремниевый фотодиод ФД-320-01SI = 3,5 x 10-2 мкА/Лк7 x 6,5 x 2,5
Кремниевый фототранзистор ФТ-2КhЭ23 = 0,4 мкА/Лк
hЭ23 = 0,2 мкА/Лк		Ø3,9 x 14
Ø4 x 9
Кремниевый фототранзистор ФТ-8hЭ23 = 2 мкА/ЛкØ4,05 x 7,5
Полупроводниковые приборы
Бескорпусные индикаторные преобразователи Холла АМ202А-5, АМ202Б-5, АМ2019 Остаточное напряжение
<=2мВ
<=2мВ
<=15мВ		  
0,7 х 0,7
0,7 х 0,7
1,9x1,9x1		  
АДБК.432. 120.066 ТУ АДБК.432. 120.066 ТУ ТЦАФ.432. 129.002 ТУ
Микросхемы 317НФ1А, 317НФ1Б - 60...+1250С 30,5x11,65x2,5 6КО.347.332. ТУ

Тип Наименование Память программ, байт ОЗУ данных Частота, МГц АЦП/ЦАП Перезапись по сбою питания Таймеры
PIC16C711 18/20-выводные 8-битные CMOS микроконтроллеры с АЦП 1024x14 68 20 4/0 + 1+WDT